光敏传感器的响应特性

光敏传感器的响应特性即是对光所具有的一系列反应特性。光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。

产看该光敏传感器的技术手册可以得知。用实验方法测试：用一个可调脉冲源，输出驱动一个高速的发光管，用该光敏传感器接收，用示波器测试光敏传感器的输出波形。脉冲源由低逐渐到高，传感器波形刚刚开始变差时候既是传感器的最高接收频率。根据频率可以计算出传感器响应时间。

毫秒。光电sensor的反应时间是0.1毫秒，加上信号传输处理时间，总共约1毫秒，故测量转速的范围是1-60000/分之间，饱和测量的话有误差。

光敏电阻按其光谱响应特性可分为紫外光敏类、可见光敏类及红外光敏类。在可见光敏类中，目前以硫化镉（CdS）光敏电阻使用最多。

③频率响应（器件检测变化很快的光信号的能力）很低。受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），是耗材。

光电效应可分为哪三种类型,能否说明传感器的原理并分别列出以之为基础...

光电效应可分为三种类型： 外光电效应：在外光电效应中，光照射到材料表面时，电子会因获得足够的能量而从材料中逸出。光电管和光电倍增管就是基于这种效应的典型光电传感器。它们的关键部件——光电发射极，通常由能够发生光电发射的材料制成。

外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。

在分析评价的基础上，应用新信息的能力。 这四种能力范畴，事实上是有重叠交叉的。一个试题可以测试多种能力或是一种能力中的多个层次。 （二）考试范围及要求 为了便于考查，将高考化学各部分知识内容要求的程度，由低到高分为三个层次：了解，理解（掌握），综合应用。一般高层次的要求包含低层次的要求。

“日光灯”是自感的应用，作为一个考点列出显然不合理，但删除该考点不意味着不考“日光灯”。另外，从课程标准来看，“通过实验理解感应电流的产生条件”、“通过探究理解楞次定律”、“体会人类探索自然规律的科学态度和科学精神”这些提法值得关注，与之相关的实验问题应给予重视。

这些以岩石核物理性质为基础的测井方法统称为核测井法，它们已成为测井技术的一个重要分支，在生产中广泛应用。

物理学是一门以实验为基础的科学。近年来对学生物理知识的各种全面测试中（如高考等）也非常重视对学生实验能力的考查。

内光电效应是什么?

1、内光电效应，是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化，比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。

2、内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应：当入射光子射入到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。

3、内光电效应是指当光线入射到某些物质中时，光子与物质内部的电子相互作用，导致电子吸收光能后发生运动状态的变化。具体体现为电子在吸收光能后从高能级跃迁至低能级，并可能产生电信号的效应。它主要与内部分电子在特定介质中的运动和能量状态变化有关。以下详细介绍这一效应的特点及工作原理。

4、内光电效应是指在半导体中电子由价带跃迁至导带时，所具有的吸收光子能量的能力。当半导体内部某一处强光照射时，光子被半导体吸收后，即可激发出自由电子和空穴，形成电子-空穴对，电子跃迁到导带，而空穴则留在价带上。如果给导体加上电压，由此产生的电流就是内光电效应。

5、内光电效应是指物质在受到光照射时，内部电子受到光子的能量作用而发生行为变化的现象。内光电效应是光电效应的一种，与外表面的光电效应相对应。它发生在物质的内部，而不是仅在表面。

6、内光电效应是指当光线照射在物质上时，物质内部电子吸收光能，从低能级跃迁到高能级，导致电子的运动状态发生变化的一种现象。这种效应通常发生在绝缘体和半导体材料中。内光电效应的主要特点是光信号需要被物质内部的电子吸收并转化为电信号。