时间：2024-08-08浏览次数：20
光电器件是通过光能转化为电能的设备，主要包括光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池和光电管等。首先，光敏电阻在无光时呈现高阻值，光照下电阻值下降，导电性能增强。其关键参数有暗电阻（无光时的阻值）和亮电阻（有光时的阻值），差值越大越好。选择时需关注其光照特性和光谱特性。
常见的光电器件有：光电导器件、光电管、光电倍增管、光电池、光电耦合器件和光敏晶体管等。光电导器件是一种能将光能转换为电能的功能器件。这类器件主要利用材料的光电导效应，即光照会使得材料的电导率发生改变。常见的光电导器件包括光电导开关和线性光电导器件，广泛应用于光电探测、光通信等领域。
首先，我们有光电导器件，这些器件利用半导体的光敏特性，当光照射时，能够产生电流，如光导管就是这类元件的一个实例。其次，光电池，如名字所示，是利用半导体的光生伏特效应，即光照射下产生的电压，这种技术在太阳能电池中得到了广泛应用。
光电二极管和光电倍增管。光电二极管是一种将光能转换为电能的器件，用于检测光栅所产生的光信号。光电倍增管是一种能够将微弱光信号转换为强电信号的器件，用于光谱仪、荧光分析等领域。
光栅数字传感器的工作原理 光栅数字传感器，通常由光源5（聚光镜4）、计量光栅、光电器件3及测量电路等部分组成，如图12所示。计量光栅由标尺光栅1（主光栅）和指示光栅2组成，因此计量光栅又称光栅副，它决定了整个系统的测量精度。一般主光栅和指示光栅的刻线密度相同，但主光栅要比指示光栅长得多。
光栅尺是由标尺光栅和光栅读数头两部分组成。标尺光栅一般固定在机床固定部件上，光栅读数头装在机床活动部件上，指示光栅装在光栅读数头中。右图所示的就是光栅尺的结构。光栅检测装置的关键部分是光栅读数头，它由光源、会聚透镜、指示光栅、光电元件及调整机构等组成。
组成、功能不同。光栅编码器主要是由码盘（圆光栅、指示光栅）、机体、发光器件、感光器件等部件组成。光电编码器由光源、码盘、检测光栅、光电检测器件和转换电路组成。
Bragg光栅是一种利用布拉格反射原理制成的光学器件，它的结构为一段周期性的介质，其中的折射率被设计得具有空间周期性。当入射光线照射在Bragg光栅上时，在特定的角度下，光会被反射回来。
常见的光电器件有：光电导器件、光电管、光电倍增管、光电池、光电耦合器件和光敏晶体管等。光电导器件是一种能将光能转换为电能的功能器件。这类器件主要利用材料的光电导效应，即光照会使得材料的电导率发生改变。常见的光电导器件包括光电导开关和线性光电导器件，广泛应用于光电探测、光通信等领域。
光电三极管。光电三极管（Phototransistor）是一种利用光控放大原理制成的光电器件。由于它的结构类似于普通的晶体管，所以它也被称为光敏晶体管。光电三极管是在基极区域注入光子，从而形成一个电荷载流子对，进而控制晶体管的导通和截止，实现信号的放大和转换。
光电发射器件则是能够发射光子的一种器件，常见的是发光二极管和激光器。发光二极管能够将电能转化为光能，发出特定颜色的光线，广泛应用于照明、显示等领域。激光器则能够产生连续或脉冲的光束，具有高度的方向性和亮度，广泛应用于打印、测距等领域。
光电子器件主要包括光电发射器件、光电探测器件以及光调制与解调器件等。光电发射器件主要用于将电信号转换为光信号，以供传输和应用。其中最常见的包括发光二极管（LED）和激光二极管（LD）。LED可以将电能直接转换为光能，具有高效率、低功耗和长寿命的特点，广泛应用于显示、照明和通信领域。
光电器件是通过光能转化为电能的设备，主要包括光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池和光电管等。首先，光敏电阻在无光时呈现高阻值，光照下电阻值下降，导电性能增强。其关键参数有暗电阻（无光时的阻值）和亮电阻（有光时的阻值），差值越大越好。选择时需关注其光照特性和光谱特性。
光电显示产品 这类产品主要指利用光电技术实现显示的设备，如液晶显示器、有机发光二极管显示器、触摸屏等。它们在现代电子产品中的应用非常广泛，如手机、平板电脑、电视、电脑显示器等。
1、光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。常见的光电三极管外形如图l所示，文字符号表示为VT或V。 目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。
2、光电三极管也称光敏三极管，它的电流受外部光照控制。是一种半导体光电器件。比光电二极管灵敏得多，光照集中电结附近区域。利用雪崩倍增效应可获得具有内增益的半导体光电二极管（APD），而采用一般晶体管放大原理，可得到另一种具有电流内增益的光伏探测器，即光电三极管。
3、光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。 光电三极管的时间响应常和PN结的结构及偏置电路等参数有关。
4、在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1（相当于三极管共发射极电路中的电流增益）的电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。
5、光电三级管作为高级别探测器，输出电流大，但光照特性相对较弱，适用于需要强大输出的场合。3DU型光电三极管，以p型硅为基础，集成了光电二极管和晶体管的优点，是作为光开关的理想选择。
