什么是光敏电阻

光敏电阻：概念：常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。它的电阻和光线的强弱有直接关系。光强度增加，则电阻减小；光强度减小，则电阻增大。当有光线照射时，电阻内原本处于稳定状态的电子受到激发，成为自由电子。所以光线越强，产生的自由电子也就越多，电阻就会越小。

开和关时的输入光强值比较 相同光线强度下 在相同的光线强度下，光敏电阻光控开关的输入光强值应该是一样的。因为这种开关是通过感知光线强度的变化来控制开关的开和关，所以在同样的光线强度下，无论开关处于什么状态，光敏电阻感知到的光线强度都应该是一样的。

led的电学特性和pn结的电学特性一样吗

1、采用一些特殊的工艺（见本条目后面的段落），可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。属性 p-n 结具有现代电子学的基本特性。p 掺杂的半导体是相对导电的。

2、LED即发光二极管，是利用半导体同质PN结、异质PN结、金属-半导体（MS）结、金属-绝缘体-半导体（MIS）结制成的发光器件。其工作原理以及某些电学特性与一般晶体二极管相同，但是，使用的晶体材料不同。LED包括可见光、不可见光、激光等不同类型，生活中常见的为可见光LED。

3、pn结是半导体器件中最常用的一种结构。在多种电子设备中，如二极管、太阳能电池板等，都能看到 pn 结的身影。这种结构的特性在半导体技术的发展历程中，起到了至关重要的作用。拓展：整流特性 pn 结的第一项特性是整流，即只允许电流从正向流入结的一端，而阻止逆向电流的流动。

4、灯珠PN结是一种半导体器件。它是由两个类型不同的半导体材料组成的，N型半导体和P型半导体。根据不同的掺杂浓度和掺杂方式，可以获得不同的PN结的电学特性。PN结是现代电子器件中最基本的元器件之一，被广泛用于太阳能电池、LED灯等领域。PN结的形成是通过半导体材料的掺杂实现的。

吉林大学:实现Si探测器紫外波段外量子效率超70%

1、Si光电探测器（PDs）作为器件最常用的基础组分，以其宽频带光谱响应、超高响应率、以及低成本制造工艺等特点而被广泛应用于光电器件中。然而，受到高反射系数和紫外辐射的浅穿透深度的限制，Si PDs对紫外（UV）光响应很低（200300 nm范围内，外量子效率接近0%）。

光伏探测器的光电特性和哪些因素有关

光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。

理论基础 第1章深入探讨了光辐射探测的理论基础，包括辐射度学与光度学的基础知识，如光的基本概念、辐射度量和光度量，以及半导体的能带理论、载流子行为和光电效应等。第2章详细介绍了各种光辐射源，如黑体辐射、气体放电光源和激光器，及其基本特性和参数。

二维层状材料由于其原子尺度薄的特性从而具有较低的光吸收系数。实现载流子倍增的碰撞电离是设计具有高检测效率的二维光电探测器的有前途的策略。然而，在二维光电探测器中通过碰撞电离产生的雪崩效应尚未得到广泛研究。

光敏二极管简介

光敏二极管是利用硅PN结受光照后产生光电流的一种光电器件。光敏二极管的电路符号、外形见图1所示。其封装有金封和塑封两种（即圆柱形和扁方形）。有的光敏二极管为了提高其稳定性，还外加了一个屏蔽接地脚，外形似光敏三极管。

光敏二极管体积小，灵敏度高，响应时间短，光谱号响应在可见到近红外区之中，广泛用于光电探测。光敏二极管简介：光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。

红外接收二极管，也被称为红外光电二极管或红外光敏二极管，其英文名是Infrared receiver diode。这种特殊的半导体元件在我们的日常生活中扮演着重要角色，尤其在家电遥控器技术中占据核心地位。

光照增强,光敏电阻的阻值一般是如何变化

一般来说，当入射光增强时，一些光敏电阻（如硫化镉）的阻值会减小，这是基于内光电效应，光子激发半导体材料产生电子—空穴对，导致电阻下降。然而，也有另一种光敏电阻类型在入射光弱时电阻减小，强光时电阻增大。这种非线性的光照特性使得光敏电阻在光的测量、控制和光电转换中发挥重要作用。

光照增强，光敏电阻的阻值增大。光敏电阻，入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。

光敏电阻阻值随光强变化，光线越强，阻值越小。光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。

光敏电阻阻值和光强关系是光敏电阻的阻值随光强的增大而减小，随光强的减小而增大。光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。它的电阻和光线的强弱有直接关系。光强度增加，则电阻减小；光强度减小，则电阻增大。当有光线照射时，电阻内原本处于稳定状态的电子受到激发，成为自由电子。