光电二极管,光敏电阻,光电池的特性曲线各是什么样子的

1、光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

2、电阻方面不同 和光敏二极管不同，光敏电阻测量的时候，没有正反，两面的电阻是一样的。光电效应不同 光敏电阻和光敏二极管相比，光敏电阻内部的光电效应和电极无关，光电二极管才有关，即可以使用直流电源，灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关。

3、是的。光电流和光通量函的关系曲线称为光照特性。所谓光照特性，是指光电管，硅光电二极管和硅光电三极管的总称的光电流与照度之间的关系曲线，硅光电二极管和硅光电三极管的光照特性曲线。

大学物理实验有哪些

大学物理实验有以下8个：实验一：杨氏弹性模量的测量；实验二：物体转动惯量的测定；实验三：惠斯通电桥；实验四：示波器的使用；实验五：牛顿环干涉现象的研究与测量；实验六：迈克尔逊干涉；实验七：旋光仪原理及使用；实验八：不同电极的电流场描绘。

大学物理实验有：杨氏模量，迈克尔逊干涉仪，全息照相，衍射光栅，单缝衍射，光电效应，用分光计测量玻璃折射率，透镜组基点的测量，测量波的传播速度，密里根油滴实验，模拟示波器的使用，磁电阻巨磁电阻测量，半导体电光光电器件特性测量、等厚干涉 杨氏模量 杨氏模量是描述固体材料抵抗形变能力的物理量。

牛顿第二运动定律的验证、动量守恒定律的验证、液体表面张力系数的测定、霍尔效应实验、声速的测定、霍耳效应、测量薄透镜的焦距、钨的逸出电位的测定。

光电探测器的技术指标

1、光电探测器在应用选择时，需与辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配。例如，紫外波段可选用电光倍增管或专用紫外光电半导体器件；可见光信号可使用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件；红外信号则适合光敏电阻，近红外可选用Si光电器件或光电倍增管。 光电转换特性必须与入射辐射能量相匹配。

2、灵敏度单位，千伏/瓦。 意思是注入光功率 一瓦 可以产生 最小 2kv 典型值 5kv的电压响应。

3、主要技术指标：◇相对湿度：≤95%RH，不凝露；◇环境温度：-10℃～60℃；◇外形尺寸：Φ102mm×45mm；◇指示灯：正常工作时红灯闪亮，火警时红灯常亮。适用场所 ：宾馆、医院、办公楼、计算机房、电梯房、图书室、档案室等及有电器火灾的场所。

4、比较常用的是photodiode，光电二极管，主要参数有光敏面面积，极间电容，暗电流，NEP。

5、光提取效率。外量子效率是一个非常重要的太阳电池参数，可以是光子能量的函数。是一个小于1的无量纲数。根据查询相关资料显示，光提取效率影响外量子效率不影响内量子效率，因为外量子效率受内量子效率和光提取效率影响。内量子效率（InternalQuantumEfficiency，IQE）是光电探测器的基本性能指标之一。

光电器件光电器件的组成

光电器件是通过光能转化为电能的设备，主要包括光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池和光电管等。首先，光敏电阻在无光时呈现高阻值，光照下电阻值下降，导电性能增强。其关键参数有暗电阻（无光时的阻值）和亮电阻（有光时的阻值），差值越大越好。选择时需关注其光照特性和光谱特性。

光电导器件的核心组成部分包括光敏电阻、光电二极管和光电三极管等。光敏电阻是基本的光电转换元件，当受到光照时，其电阻值会发生变化，反映出光的强弱。光电二极管和光电三极管则进一步放大这种光信号，它们在光照射下能够实现电荷的分离和放大，广泛应用于光电信号的检测和转换中。

光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。

光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。

发光数字管则利用磷化镓发光管的管芯制成条状，由七条管组成七段式数字显示，能够显示0到9的数字。这种半导体显示管以其体积小、耗电省、寿命长和响应速度快的特点，广泛应用于小型计算器和数字显示仪表中。光电耦合器是半导体发光器件和光敏器件的集成，它实现了电-光-电的转换。

光电器件是指根据光电效应制作的器件称为光电器件，也称光敏器件。光电器件的种类很多，但其工作原理都是建立在光电效应这一物理基础上的。光电器件的种类主要有：光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、光电耦合器件。光电导器件 半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。