光电探测器伏安特性分类

光谱特性：是指光敏电阻对不同波长光的灵敏度的变化；（紫外光波长：400nm以下，可见光波长：400-760nm，红外光：大于760nm），下图为不同材料的光谱特性，如图硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域，因此在选择光敏电阻时要考虑所处光源种类。

光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。

概念：又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

反向偏置的光电导工作模式无光照时电阻很大，电流很小；有光照时，电阻变小，电流变大，而且流过它的光电流随照度变化而变化。类似光电导器件。（3）正向偏置的工作模式呈单向导电性，和普通二极管一样，光电效应无法体现。

光电二极管光谱响应曲线峰值因为波长。硅光电二极管响应速度快，暗电流低，结电容小，而光电探测器的波长单位入射辐射功率作用下，与曲线峰发生关系，光电二极管的伏安特性，光电二极管的伏安特性是指光电二极管上所产生的光电流与其两端所加电压之间的关系。

光电三极管的特性参数1伏安特性 图1表示光电三极管的 关系曲线。由图可见，光电三极管在偏压为零时，集电流为零。当有光照时，光电三极管输出电流比同样光照下光电二极管的输出电流大 倍。

内光电效应的两种类型及特征

内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类：（1） 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。

光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。

分类 通常把光电效应分为三类：外光电效应。在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应。在光线作用下能使物体电阻率改变的称为内光电效应，又称光电导效应。基于该效应的光电器件有光敏电阻、光敏晶体管等。

体现的是粒子性。光电效应的发生条件是光子频率必须大于等于截止频率，即光子能量要够大。光电效应发生时间极短，没有滞后。一个光子对应一个电子，激发出来的叫光电子。光的强度增加，指的是单位时间内的光子个数增加。光强的增加会增加电流的大小，不会增加电子的初动能。

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几何尺寸测量仪常用的四种激光位移传感器有哪些?

1、PSD（Position Sensitive Detector）芯片传感器通过测量激光能量中心的位置来实现位移测量。PSD是一种光电器件，能够精确确定光斑中心的位置。这种传感器以其高测量精度而著称，一维测量精度可达到0.2微米。由于PSD芯片的光敏面没有象限分割线，因此消除了测量盲区，能够对光斑位置进行连续测量。

2、激光位移传感器 采用激光三角法测量。测量时传感器发射的激光照射被测物的表面，传感器内的摄像系统拍摄被测物表面光斑的图像。通过分析光斑在摄像系统CCD或CMOS芯片上的位置即可得到传感器到被测物表面的距离。激光测距传感器 采用相位式测量。

3、一种叫激光三角反射式位移传感器，一种叫脉冲时间差式激光测距仪。前者采用激光三角反射原理，精度高但是量程短 后者发出激光脉冲，在被测物体表面反射，测量发出和回到传感器的时间差，换算成距离。精度相对较低，但量程可以很大。两者使用的测量原理不同，应用领域也有所差别。

4、拉线位移传感器：拉线位移传感器使用拉线和传感器来测量物体的位移。其操作简便、易于操作，但精度较低，适用于低精度和低成本的场合。本文介绍了几种测量位移传感器的常见类型，每一种传感器都有不同的优点和应用。在选择传感器类型时，需注意其测量范围、精度和应用环境等因素。

5、通讯深视智能点激光位移传感器通讯有网口通讯，485通讯，模拟量，232通讯，IO等。我们可以选择适合自己的通讯模式。线性度线性度是指测量值与实际值的偏差，线性度是描述传感器静态特性的一个重要指标，以被测输入量处于稳定状态为前提。在相同量程内，线性度越小的传感器精度越高。