时间：2024-12-07浏览次数：10
1、在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 如果外加电压使： PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。
2、主要原因：在二极管中有一个PN结。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。
3、在外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是由少数载流子漂移运动形成的反向电流。由于这种反向电流极其微弱，因此二极管呈现出截止状态，这表明PN结的反向电阻非常大，远超正向电阻。二极管的正向电阻则与正向电流的大小密切相关。当二极管的正向电流发生变化时，其正向电阻也会相应地做出微小的变化。
1、首先总结了二维（2D）光电探测器中典型的光电探测机制类型。然后讨论了基于传统硅和III-V族化合物半导体的碰撞电离和雪崩光电探测器引起的雪崩机理。最后，详细介绍了一系列基于2D材料及其范德华异质结构的新兴雪崩光电探测器，及其在光子计数技术领域的潜在应用。
2、科学家们近日取得重要突破，证实了二维单质材料具备铁电性，为铁电材料领域的研究和应用开辟了新的路径。这一发现源于对单质硅、磷、砷等元素的深入探索，尤其是二维单质铋单层的研究。
3、刘俊利副教授和张瑜教授凭借他们在低维亚纳米材料制备、储能与光电性能研究领域的深厚造诣，以及在国际知名期刊发表的多项成果，为锌-空气电池领域的进步做出了重要贡献。这项研究展示了高熵氧化物亚纳米片在解决ZABs技术挑战方面的潜力，为绿色能源存储技术的发展开辟了新的路径。
1、半导体器件是利用半导体材料，如硅、锗或砷化镓，制作而成的电子元件，它们在电子设备中扮演着重要角色。常见的半导体器件包括整流器、振荡器、发光器、放大器和测光器等，有时也被称为分立器件，以区别于集成电路。二端器件，如晶体二极管，主要由PN结构成。
2、半导体是指导电性介于金属导体和绝缘体之间的材料，通常是固态（如锗、硅等），其导电性能会随着杂质含量和外界条件（如温度、光照）的变化而变化。半导体元件主要包括：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及集成电路等。
3、半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基本结构是一个PN结。
L、N是交流电中的符号，L单相交流电的“火线”，N是单相交流电的“零线”，在直流电中“+”表示正极，“-”表示负极。
S代表南极，N代表北极。 在国际上，S是英文South的缩写，N是英文North的缩写。 S和N分别用来指示地球的南极和北极。
L为正极，N为负极。负极指电源中电位（电势）较低的一端。在原电池中，是指起氧化作用的电极，电池反应中写在左边。在电解池中，指起还原作用的电极，区别于原电池。从物理角度来看，是电路中电子流出的一极。负极：失电子，发生氧化反应，外电路电子流出的一极。
负极指的就是在电源的电位里属于比较低的一面，在原电池里，指的是起到了氧化作用的电极，在电池的反应中是写在左边的，在电解池里指的是还原作用的电极，是和原电池不一样的，从物理的角度来看，指的是电路里电子所流出的一级。负极：失电子，发生氧化反应，外电路电子流出的一极。
电路中的n和r是什么意思？电路中的n通常指的是正极，而r则是指的电阻器。在电路中，正极是指带有正电荷的极端，常用的符号是“+”，其作用是提供电流所需要的正电荷。电阻器是电路中常用的元器件，它的主要作用是通过电阻来控制电路中的电流和电压。
1、第三代半导体材料以其卓越性能，成为新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的关键核心材料和电子元器件。
2、第三代半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其禁带宽度在3eV以上而崭露头角。相比Si和GaAs，它们在高温、强辐射和大功率等极端环境下表现出优越的性能，广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。
3、氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，是微电子器件与光电子器件的新型材料。与第一代硅（Si）和锗（Ge）及第二代砷化镓（GaAs）相比，氮化镓在高温、高耐压及承受大电流方面具有显著优势，广泛应用于功率器件、射频器件以及电力电子等领域。
4、氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表，在室温下为n型半导体，是半导体照明中发光二极管的核心组成部分。氮化镓是一种人造材料，自然界中形成氮化镓的条件极为苛刻，需要2000多度的高温和近万个大气压的条件下才能用金属镓和氮气合成为氮化镓，因此在自然界中是不可能形成的。
5、氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表，用于微电子器件、光电子器件的研发。相较于第一代及第二代半导体材料，GaN在高温、高耐压、承受大电流等方面表现优越，使其更适用于制作高性能器件。
6、氮化镓，这个被誉为未来“黄金”的第三代半导体材料，在电子产品市场中崭露头角。如某购物网站上，氮化镓充电器因其8W+的高评价量而备受关注，如OPPO和小米的快充产品就采用了这种技术。
集成光电子学国家重点实验室，由清华大学、吉林大学和中国科学院半导体研究所共同组建，其技术实力雄厚，拥有先进的实验设备。实验室配备了分子束外延、有机金属气相沉积以及液相外延等设备，专为光电器件和集成光电器件的异质结材料、量子阱超薄层材料生长提供支持，如高效生长所需的关键设备。
位于清华大学、吉林大学和中科院半导体研究所联合建立的集成光电子学国家重点实验室，凭借其强大的技术实力和先进的实验设备，为光电器件和集成光电器件的研究提供了坚实的支撑。实验室配备了分子束外延、有机金属气相沉积和液相外延等设备，专为异质结材料和量子阱超薄层材料的生长服务，确保了材料的高质量。
集成光电子学国家重点实验室，由清华大学、吉林大学和中国科学院半导体研究所共同建立，这个实验室有着深厚的研究实力。在实验室的发展历程中，清华大学的张克潜教授曾担任过第一届实验室主任，他同时也是中国工程院院士，他的学术影响力在物理和光电子领域举足轻重。
集成光电子学国家重点实验室，由清华大学、吉林大学和中国科学院半导体研究所联合建立，聚焦于半导体光电子学这一前沿科学领域。该领域主要关注半导体中光的吸收和辐射发射，对于国家信息基础设施的构建至关重要。
