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步骤：使用光源，改变光源的波长。测量在不同波长下的光电流。应用：用于研究材料对不同波长光的响应，了解材料的光电性能。暗电流测试：原理：测量在无光照射条件下材料的电流，即暗电流。步骤：在完全遮光条件下测量材料的电流。比较暗电流和光电流，评估材料的光电性能。
光电流计算：根据测试的光通量和光电二极管的参数，计算出光电流的大小。一般采用光电流传感器来进行光电流测试，常见的光电流传感器有LM31CR123A等。安装光电流计：将光电流计安装在测试仪器上，并确保光电流计的光轴与测量光路一致。
暗电流测试：稳压电源用±12V，调整负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。
可以同时检测光电流和暗电流，采用恒电势极化测试技术来测量i-t曲线，测量时间需要根据你研究目的来定，如你仅仅看看光电流大小，那么时间可以设置短点。光电流是由光能激发产生的电流，光具有能量，一个光子将半导体内价带的电子激发至导带，如果存在回路就会产生电流，即光生伏特效应。
1、PCDPCD-光电导衰退 PCD：Photoconductivity Decay，光电导衰退，是一种用于测试单晶硅少数载流子寿命的方法。它是一种能够直观反映材料在光照下导电性能随时间变化的测试手段，广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。PCD测试的基本原理是利用光照射材料表面，使电子从价带跃迁到导带，形成载流子。
2、PCD光电控测器，全称为Photoconductive Detector，是一种在图像传感器中广泛应用的组件，其结构由n+ - n - n+构成。它通过光电导性（photoconductivity）这一特性，产生并收集光生电荷，从而对信号进行放大。光电导性指的是在光线照射下，材料的导电性能发生改变的现象。
3、微波光电导衰退法（μ-PCD ，Microwave photoconductivity decay）测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号这两个过程。
4、一排的话的基本上是欧美企业，国内的基本上排不上号。你要不提个国内的排行。一线品牌；山高，山特，瓦尔特。肯纳，伊斯卡，等等二三线的；日本大昭和，住友，三菱，京瓷，住友，特固克，正河源，安威，株钻等等。
1、光电效应伏安性曲线规律 存在饱和电流：当光照条件一定时，发射的光电子数达到饱和值后不再增加，即达到饱和电流。入射光越强，饱和电流越大。存在遏止电压和截止频率：遏止电压是指使光电流减小到零的反向电压。对于一定颜色（频率）的光，无论光的强弱如何，遏止电压是一样的。
2、伏安法 1．连接电路，开始时，滑动变阻器滑片应置于最小分压端，使灯泡上的电压为零。2．接通开关，移动滑片C，使小灯泡两端的电压由零开始增大，记录电压表和电流表的示数。3．在坐标纸上，以电压U为横坐标，电流强度I为纵坐标，利用数据，作出小灯泡的伏安特性曲线。
3、绘制伏安特性曲线：- 将所测得的电流和电压数据绘制在坐标图上，电流作为纵轴，电压作为横轴，即可得到伏安特性曲线。注意事项：- 在每个电压或电流稳定后，应该等待一段时间以确保数据的准确性。- 为了获得更准确的结果，可以在每个电压或电流步长后进行多次读数，并取平均值。
4、用伏安法的实验可以得出元件的伏安特性。实验原理 “伏安法测电阻”的实验原理为：欧姆定律的推论R=U/I。文字表述为导体的电阻等于导体两端的电压除以导体的电流。实验器材 本实验所需的实验器材：电源、开关、电流表、电压表、滑动变阻器、定值电阻R、导线若干。
光敏电阻的电阻值与光照强度成反比关系。可以通过测量光敏电阻的电阻值，然后改变光照强度，再次测量电阻值的变化来判断正负极。当光照强度增大时，电阻值减小，说明该端为正极；当光照强度减小时，电阻值增大，说明该端为负极。 使用万用表进行测试 可以使用万用表的电阻档位来测试光敏电阻的正负极。
光敏电阻是一种双极性元件，通常没有正负极之分。它是一种电阻器件，其电阻值随光照强度的变化而变化，可以用于光敏传感器等应用中。在电路中接入光敏电阻时，需要注意其电阻值的变化方向，以便正确地应用。一般来说，光敏电阻的两个电极可以随意连接到电路中，不需要特别关注其正负极性。
光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。主要用于光的测量、光的控制、和光电转换。光敏电阻器都制成薄片结构，以便能够吸收更多的光能。该类电阻器的特点是入射光越强，电阻值就越小，入射光越弱，电阻值就越大。
1、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。光电传感器是什么原理光电传感器的原理是利用光电效应，即光照射到一种特定的物质上，物质会产生电流或电压变化，从而检测到光的强弱。
2、光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管（LED）、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。
3、光电传感器有4种测量方式，依据的测量原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器的介绍：光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。
4、光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。发射器瞄准目标发射光束，光束一般来自半导体光源、发光二极管（LED）、激光二极管、红外发射二极管。连续发射光束，或者改变脉冲宽度。
5、第一步就是转化，即观察被测的变化，通过某种介质转为信号变化的方式。我们在这种方式下利用光电元件对光信号做进一步的转换，使之形成电信号。在组成结构上，光源和通路以及相关的元件几个部分构成光电传感器了。精度方面很高，非接触，再加上反应方面很快等优点就是它的检测特点。
